铌酸锂电光调制器

铌酸锂电光调制器

铌酸锂调制器利用铌酸锂晶体的电光效应并结合光电子集成工艺制作而成，因其具有高响应速度，低插入损耗以及低半波电压广泛应用在光纤通信，微波光子，光纤传感等领域。铌酸锂晶体为负单轴晶体(no>ne)，属于三角晶系，具有3m点群对称操作。这样的晶体结构注定了铌酸锂晶体具有较好的热电效应、压电效应、弹光效应、电光效应等。电光效应是指在直流电场(或低频电场)的作用下引起材料折射率明显变化的一种现象。也就是说外加电场改变了介质的光学性质。在某些材料中折射率的变化与所加电场的强度成线性关系，即线性电光效应，也称普克尔斯(Pockels)效应。线性电光效应可认为是入射光场与直流电场混合作用在物质中产生的二阶非线性极化，由于线性电光效应是用二阶非线性极化率描写的，因此它只能在具有空间非对称的晶体中发生。在有空间中心对称的材料中，比如液体或玻璃，折射率的变化与所加电场的平方成正比，这就是二次效应或称克尔(Kerr)电光效应。与线性电光效应类似，它可用三阶非线性极化来描写。除此之外，还有更高次的电光效应。因为一般情况下，高阶效应要比一次效应弱的多，所以在铌酸锂晶体中，我们只需考虑线性电光效应。

我们采用先进的质子交换工艺，生产的铌酸锂电光调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半  波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。

铌酸锂电光调制器分为两大类：电光强度调制器和电光相位调制器，主要波长为780nm, 850nm, 1064nm, 1310nm, 1550nm和2000nm。根据客户需求可以定制其它波长。

XX:  调制器类型，AM为电光强度调制器，PM为电光相位调制器产品型号定义：SCQ-XX-WW-XG-F-FC

• WW:  工作波长，主要为850nm, 1064nm, 1310nm,1550nm和2000nm
• XG:  工作带宽，主要为2.5G, 10G, 40G
• F:  输入输出光纤类型，如PP (PM/PMF), PS (PM/SMF)
• FC:  光纤接头，如FA (FC/APC), FP (FC/PC)

常用电光强度调制器列表 (封装尺寸)：

常用电光相位调制器列表 (封装尺寸)：